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MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

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    MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    Automotive, AEC-Q100
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR-ND
    MT29F4G08ABAFAWP-AATES:FTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

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MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

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기술: SLC 4G DIE 512MX8

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

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