MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR

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규격

제품 모델

MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 768G PARALLEL 267MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR-ND
MT29F768G08EECBBJ4-37ES:BTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

768Gb (96G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 768Gb (96G x 8) Parallel 267MHz
클럭 주파수

267MHz

다음은 "MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR"관련 제품입니다.

MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR

기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F8G01ADAFD12-ITES:F

기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F6T08ETCBBM5-37:B

기술: TLC 6T 768GX8 LBGA 16DP

제조업체: Micron Technology

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MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR

기술: IC FLASH 768G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F8G01ADAFD12-AATES:F

기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F768G08EECBBJ4-37:B

기술: IC FLASH 768G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 333MHZ

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