MT29F8G01ADAFD12-AATES:F

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유품

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규격

제품 모델

MT29F8G01ADAFD12-AATES:F
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 8G SPI TBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

Automotive, AEC-Q100
작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

8Gb (8G x 1)
메모리 인터페이스

SPI
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 8Gb (8G x 1) SPI

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제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 6T PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

기술: IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC FLASH 768G PARALLEL 267MHZ

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기술: IC FLASH SLC 8GBIT

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F8G01ADBFD12-AATES:F

기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

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기술: IC FLASH 8G PARALLEL TSOP

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기술: IC FLASH 8G SPI TBGA

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