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MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

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유품

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규격

제품 모델

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
연속

*
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR-ND
MT38W1011A90YZQXZI.XB8TR
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

Memory IC

다음은 "MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR"관련 제품입니다.

MT38M4041A3034EZZI.XK6

기술: IC FLASH RAM 256M PARALLEL

제조업체: Micron Technology

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MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

기술: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT38AF518RSMM-001

기술: ACCY MOUNT BMM 3/8 A195 RSMAM

제조업체: Laird Technologies - Antennas

유품

RFQ

MT38W2011A90YZQXZI.X68

기술: PARALLEL/PSRAM 80M

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT38W201DAA033JZZI.X68

기술: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

제조업체: Micron Technology

유품

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MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

기술: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

제조업체: Micron Technology

유품

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MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

기술: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT3B6115

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

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MT3S113(TE85L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage

유품

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MT3B3024

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

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MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

기술: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

기술: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT3B30C4

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity

유품

RFQ

MT38M5041A3034EZZI.XR6

기술: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ