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6995465MT3B3024 이미지Agastat Relays / TE Connectivity

MT3B3024

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규격
  • 제품 모델
    MT3B3024
  • 제조업체 / 브랜드
    Agastat Relays / TE Connectivity
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT3B3024.pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 켜기 (최대)
    18 VDC
  • 해제 전압 (최소)
    2.4 VDC
  • 종단 스타일
    Plug In, 11 Pin (Octal)
  • 스위칭 전압
    400VAC - Max
  • 연속
    MT, SCHRACK
  • 릴리스 타임
    10ms
  • 릴레이 유형
    General Purpose
  • 포장
    Bulk
  • 다른 이름들
    9-1393090-1
  • 작동 온도
    -40°C ~ 60°C
  • 작동 시간
    15ms
  • 실장 형
    Socketable
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 풍모
    LED Indicator, Test Button
  • 상세 설명
    General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 24VDC Coil Socketable
  • 접점 정격 (전류)
    4A
  • 접점 재질
    Silver Nickel (AgNi)
  • 문의 양식
    3PDT (3 Form C)
  • 코일 전압
    24VDC
  • 코일 유형
    Non Latching
  • 코일 저항
    475 Ohms
  • 코일 출력
    1.2 W
  • 코일 전류
    50.0mA

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다음은 "MT3B3024"관련 제품입니다.
MT3B30C4

MT3B30C4

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

기술: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

기술: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

기술: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

기술: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

기술: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

기술: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

기술: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

기술: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

기술: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

기술: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

기술: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

기술: PARALLEL/PSRAM 48M

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

기술: PARALLEL/PSRAM 80M

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
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