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1058309MT3S113P(TE12L,F) 이미지Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

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유품
1000+
$0.423
2000+
$0.395
5000+
$0.375
10000+
$0.36
25000+
$0.35
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규격
  • 제품 모델
    MT3S113P(TE12L,F)
  • 제조업체 / 브랜드
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT3S113P(TE12L,F).pdf
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    5.3V
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    PW-MINI
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    1.6W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-243AA
  • 다른 이름들
    MT3S113P(TE12LF)
    MT3S113P(TE12LF)TR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 잡음 지수 (f에서 dB Typ)
    1.45dB @ 1GHz
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 이득
    10.5dB
  • 주파수 - 전환
    7.7GHz
  • 상세 설명
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    200 @ 30mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    100mA

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MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

기술: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

기술: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

기술: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

기술: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

기술: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

기술: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

기술: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

기술: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

기술: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

기술: PARALLEL/PSRAM 48M

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

기술: PARALLEL/PSRAM 80M

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

기술: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

제조업체: Agastat Relays / TE Connectivity
유품
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

기술: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

기술: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

기술: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RFQ
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