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MT40A512M16Z01AWC1

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  • 제품 모델
    MT40A512M16Z01AWC1
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DDR4 8G DIE 512MX16
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 연속
    *
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    Memory IC

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MT40A512M8RH-075E AAT:B TR

MT40A512M8RH-075E AAT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M16JY-083E AUT:B TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT40A512M8RH-075E AUT:B

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT40A512M16LY-062E IT:E TR

MT40A512M16LY-062E IT:E TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT40A512M8RH-075E AAT:B

MT40A512M8RH-075E AAT:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M8RH-075E AIT:B TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M8RH-075E AUT:B TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M16LY-062E IT:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M8HX-083E:A

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M16LY-062E:E TR

MT40A512M16LY-062E:E TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M8HX-093E:A

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A512M16LY-062E:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT40A512M8RH-062E:B

MT40A512M8RH-062E:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A512M16LY-075:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A512M8RH-075E AIT:B

MT40A512M8RH-075E AIT:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A512M16LY-075:E TR

MT40A512M16LY-075:E TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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