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MT40A512M8RH-062E:B

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    MT40A512M8RH-062E:B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.26 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR4
  • 연속
    -
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.6GHz
  • 클럭 주파수
    1.6GHz
MT40A512M8RH-075E AIT:B

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A512M8HX-093E:A

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: DDR4 8G DIE 512MX16

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A512M8RH-075E:B

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT40A512M16LY-062E:E

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