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MT41K256M16TW-107 XIT:P

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  • 제품 모델
    MT41K256M16TW-107 XIT:P
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT41K256M16TW-107 XIT:P.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 제조업체 장치 패키지
    96-FBGA (8x14)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    96-TFBGA
  • 다른 이름들
    557-1757
    MT41K256M16TW-107 XIT:P-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • 클럭 주파수
    933MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M4DA-107:J

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: MEMORY DRAM

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 V:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT41K256M16TW-107 AUT:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K256M4DA-107:J TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M16V00HWC1-N001

MT41K256M16V00HWC1-N001

기술: DDR3 4G DIE 256MX16

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M16V80AWC1

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M16TW-125:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

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기술: IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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