MT41K256M16V00HWC1

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규격

제품 모델

MT41K256M16V00HWC1
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH NAND 32GX8 TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
연속

*
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

Memory IC

다음은 "MT41K256M16V00HWC1"관련 제품입니다.

MT41K256M16TW-125:P

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M4DA-107:J TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107 AUT:P

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M8DA-107 AAT:K

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16V80AWC1

기술: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M4JP-15E:G TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107 V:P

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M4DA-107:J

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M4JP-15E:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16V90BWC1

기술: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107:P

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT41K256M16TW-107 V:P TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ