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MT46H4M32LFB5-6:K

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  • 제품 모델
    MT46H4M32LFB5-6:K
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT46H4M32LFB5-6:K.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    90-VFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    90-VFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H4M32
  • 액세스 시간
    5.0ns

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H64M16LFCK-5 IT:A

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H32M32LFT68MWC2

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제조업체: Micron Technology
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MT46H4M32LFB5-5 IT:K

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR

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MT46H64M16LFBF-5 AIT:B

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H4M32LFB5-6 IT:K

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H4M32LFB5-5:K

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H4M32LFB5-6 AT:K

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

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