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MT46H64M16LFCK-5 IT:A

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  • 제품 모델
    MT46H64M16LFCK-5 IT:A
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT46H64M16LFCK-5 IT:A.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-VFBGA (10x11.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    60-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT46H64M16LFCK-5 IT:A-ND
    MT46H64M16LFCK-5IT:A
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (10x11.5)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H64M16
  • 액세스 시간
    5.0ns

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H4M32LFB5-6:K

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기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H64M16LFT68MWC2

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기술: MOBILE DDR 1G DIE 64MX16

제조업체: Micron Technology
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MT46H64M16LFCK-5 L IT:A

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR

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MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H64M32L2CG-6 IT:A

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 200MHZ

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