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MT46H8M32LFB5-75:A TR

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    MT46H8M32LFB5-75:A TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    90-VFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    90-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT46H8M32LFB5-75:A TR-ND
    MT46H8M32LFB5-75:ATR
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (8M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 6.0ns 90-VFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    133MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H8M32
  • 액세스 시간
    6.0ns
MT46V128M4BN-6:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46V128M4BN-5B:F TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46H8M32LFB5-6:A TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V128M4BN-75:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46H8M32LFB5-6:H

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT46V128M4BN-6:F TR

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MT46H8M32LFB5-5:H

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

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MT46V128M4CY-5B:J

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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MT46H8M32LFB5-5 IT:H

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT46V128M4CY-5B:J TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H8M32LFB5-5:H TR

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MT46V128M4BN-75:D

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MT46V128M4BN-6:F

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MT46H8M32LFB5-6 IT:H

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