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MT46V128M4CY-5B:J TR

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    MT46V128M4CY-5B:J TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    2.5 V ~ 2.7 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT46V128M4CY-5B:J TR-ND
    MT46V128M4CY-5B:JTR
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (128M x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    700ps
MT46V128M4BN-6:D

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46V128M4FN-75Z:D

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46V128M4CY-5B:J

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT46V128M4BN-6:F

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-75:A TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V128M4FN-6:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V128M4BN-5B:F

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MT46V128M4FN-75:D

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