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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

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  • 제품 모델
    MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G 1600MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR-ND
    MT53B128M32D1NP-062AAT:ATR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (128M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
  • 클럭 주파수
    1600MHz

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MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

기술: LPDDR4 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 WT:A

MT53B128M32D1NP-062 WT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR

기술: IC DRAM 6G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

기술: IC DRAM 4G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1Z00NWC2

MT53B128M32D1Z00NWC2

기술: LPDDR4 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D

기술: IC DRAM 6G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

기술: IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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