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MT53B256M32D1DS-062 XT:C

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유품
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규격
  • 제품 모델
    MT53B256M32D1DS-062 XT:C
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G 1600MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT53B256M32D1DS-062 XT:C-ND
    MT53B256M32D1DS-062XT:C
  • 작동 온도
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • 클럭 주파수
    1600MHz

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MT53B256M16D1Z00MWC1

MT53B256M16D1Z00MWC1

기술: LPDDR4 4G DIE 256MX16

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT:D TR

기술: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

기술: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

기술: IC DRAM 8G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B1G64D8NW-062 WT:D

MT53B1G64D8NW-062 WT:D

기술: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

기술: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
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