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MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

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    MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C-ND
    MT53B256M32D1NK-062XTES:C
  • 작동 온도
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 8Gb (256M x 32) 1600MHz
  • 클럭 주파수
    1600MHz
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

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기술: IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
유품
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-053 WT:C

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기술: IC DRAM 8G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

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기술: LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

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MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

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기술: IC DRAM 8G 1600MHZ

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