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MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B

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  • 제품 모델
    MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B-ND
    MT53B384M64D4EZ-062WTES:B
  • 작동 온도
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    24Gb (384M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz
  • 클럭 주파수
    1600MHz

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MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR

MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53B384M32D2NP-062 AAT:B TR

MT53B384M32D2NP-062 AAT:B TR

기술: IC SDRAM 12GBIT 1.6GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
유품
RFQ
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR

MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53B384M32D2NP-062 AUT:B TR

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기술: IC SDRAM 12GBIT 1.6GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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MT53B384M32D2NP-062 XT:B

MT53B384M32D2NP-062 XT:B

기술: IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR

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기술: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR

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기술: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4NH-062 WT:B

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M32D2NP-062 WT:B

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기술: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR

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