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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B

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제품 모델

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
다른 이름들

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B-ND
MT53B384M64D4NH-062WTES:B
작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 상태

Lead free
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz
클럭 주파수

1600MHz

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MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A

기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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