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MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR

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  • 제품 모델
    MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 12G 2133MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR-ND
    MT53D384M32D2DS-046AIT:CTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    12Gb (384M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 2133MHz
  • 클럭 주파수
    2133MHz

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MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D

MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D

기술: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR

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기술: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D2G32D8QD-062 WT:D

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기술: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR

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기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

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기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR

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기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR

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기술: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology
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MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

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기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M16D1Z1AMWC1

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기술: LPDDR4 6G DIE 384MX16

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MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR

MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR

기술: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

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MT53D384M32D2DS-053 AUT:C

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기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

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기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

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기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

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MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D

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기술: LPDDR4 6G 384MX16 FBGA

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