MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

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유품

2000+

$42.292

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규격

제품 모델

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 12G 1866MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR-ND
MT53D384M32D2DS-053AIT:CTR
작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
클럭 주파수

1866MHz

다음은 "MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR"관련 제품입니다.

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 WT:C

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 XT:C

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 XT:E

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 AAT:C

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-046 AIT:C

기술: IC DRAM 12G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 AUT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ