MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

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제품 모델

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 32G 2133MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
다른 이름들

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E-ND
MT53D512M64D4RQ-046WT:E
작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
클럭 주파수

2133MHz

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MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR

기술: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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