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MT53D512M64D4SB-046 XT:D

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  • 제품 모델
    MT53D512M64D4SB-046 XT:D
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 32G 2133MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT53D512M64D4SB-046 XT:D-ND
    MT53D512M64D4SB-046XT:D
  • 작동 온도
    -30°C ~ 105°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    32Gb (512M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
  • 클럭 주파수
    2133MHz

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MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E

기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53D6DABE-DC

MT53D6DABE-DC

기술: SPECIAL/CUSTOM LPDDR4

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

기술: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

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MT53D512M64D4SB-046 XT:E

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기술: IC DRAM 32G 2133MHZ

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