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N2M400GDB321A3CE

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유품
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규격
  • 제품 모델
    N2M400GDB321A3CE
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    -
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Gb (8G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    MMC
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) MMC 52MHz
  • 클럭 주파수
    52MHz
  • 기본 부품 번호
    N2M400
MX60LF8G18AC-XKI

MX60LF8G18AC-XKI

기술: IC FLASH 8GBIT

제조업체: Macronix
유품
S29GL128P11TAI010

S29GL128P11TAI010

기술: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
N2M400HDB321A3CF

N2M400HDB321A3CF

기술: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
AT49BV163AT-70TI

AT49BV163AT-70TI

기술: IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
AT25080BN-SH-B

AT25080BN-SH-B

기술: IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
N2M400GDB321A3CF TR

N2M400GDB321A3CF TR

기술: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
IS42S16160B-6BL-TR

IS42S16160B-6BL-TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
유품
CY7C1061G30-10ZXI

CY7C1061G30-10ZXI

기술: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
S25FL129P0XBHIY00

S25FL129P0XBHIY00

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

기술: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C

MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
N2M400FDB311A3CF TR

N2M400FDB311A3CF TR

기술: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
93C86-E/SN

93C86-E/SN

기술: IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8SOIC

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

기술: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT48LC8M16A2P-7E IT:G

MT48LC8M16A2P-7E IT:G

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology
유품
AT29C040A-15PC

AT29C040A-15PC

기술: IC FLASH 4M PARALLEL 32DIP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

기술: IC SRAM 8M PARALLEL 48BGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
유품
M24C16-FMC6TG

M24C16-FMC6TG

기술: IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8UFDFPN

제조업체: STMicroelectronics
유품
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

기술: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
AT25320W-10SI-2.7

AT25320W-10SI-2.7

기술: IC EEPROM 32K SPI 3MHZ 8SOIC

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품

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