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N2M400GDB321A3CF TR

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유품
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규격
  • 제품 모델
    N2M400GDB321A3CF TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    -
  • 다른 이름들
    N2M400GDB321A3CF TR-ND
    N2M400GDB321A3CFTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    64Gb (8G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    MMC
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) MMC 52MHz
  • 클럭 주파수
    52MHz
  • 기본 부품 번호
    N2M400

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S29GL128S10DHI013

S29GL128S10DHI013

기술: IC FLASH 128M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

기술: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
AT24C16-10PI-2.5

AT24C16-10PI-2.5

기술: IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
MT48H16M32L2F5-10

MT48H16M32L2F5-10

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR

MT29F64G08AEAAAC5-IT:A TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 52VLGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
IDT71V416L12PHI8

IDT71V416L12PHI8

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
IS61WV51232BLL-10BLI-TR

IS61WV51232BLL-10BLI-TR

기술: IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
유품
RFQ
S25FS064SAGMFM010

S25FS064SAGMFM010

기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
N2M400HDB321A3CF

N2M400HDB321A3CF

기술: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MX25U51245GZ4I

MX25U51245GZ4I

기술: IC FLASH 512M SPI 166MHZ 8WSON

제조업체: Macronix
유품
RFQ
S25FL512SDPBHIC10

S25FL512SDPBHIC10

기술: IC FLASH 512M SPI 66MHZ 24BGA

제조업체: Cypress Semiconductor
유품
RFQ
IS43LR16160G-6BLI-TR

IS43LR16160G-6BLI-TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
유품
RFQ
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

기술: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

기술: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
71V67703S85BQI

71V67703S85BQI

기술: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

기술: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
AT24C512C-XHM-B

AT24C512C-XHM-B

기술: IC EEPROM 512K I2C 8TSSOP

제조업체: Micrel / Microchip Technology
유품
RFQ
N2M400FDB311A3CF TR

N2M400FDB311A3CF TR

기술: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
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