1N5554

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규격

제품 모델

1N5554
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1N5554.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.2V @ 9A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

1000V
제조업체 장치 패키지

-
속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

2µs
포장

Bulk
패키지 / 케이스

B, Axial
작동 온도 - 정션

-65°C ~ 175°C
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

7 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 1000V 3A Through Hole
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io)

3A
VR, F @ 용량

-

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기술: DIODE GEN PURP 800V 5A

제조업체: Semtech

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기술: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

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기술: TVS DIODE C-BODY

제조업체: Microsemi

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기술: TVS DIODE 175V 265V DO13

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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

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기술: TVS DIODE

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

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기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

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기술: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

제조업체: Microsemi

유품

RFQ

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