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  • 제품 모델
    1N5553US
  • 제조업체 / 브랜드
    Semtech
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 5A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    1N5553US.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    2µs
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF
  • 다른 이름들
    1N5553USS
  • 작동 온도 - 정션
    -
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 5A Surface Mount
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    5A
  • VR, F @ 용량
    92pF @ 5V, 1MHz

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1N5552

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

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1N5554C.TR

기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

제조업체: Semtech
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1N5551US

1N5551US

기술: DIODE GEN PURP 400V 5A

제조업체: Semtech
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1N5553US

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5552C.TR

1N5552C.TR

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
RFQ
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1N5554US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A

제조업체: Semtech
유품
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1N5558

1N5558

기술: TVS DIODE 175V 265V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5555

1N5555

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5553

1N5553

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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1N5551US

1N5551US

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5556

1N5556

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5554

1N5554

기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
RFQ
1N5557

1N5557

기술: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5551C.TR

1N5551C.TR

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

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1N5552

기술: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

제조업체: Semtech
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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

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