1N5551US

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제품 모델

1N5551US
제조업체 / 브랜드

Semtech
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 400V 5A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

1N5551US.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1V @ 3A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

400V
제조업체 장치 패키지

-
속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

2µs
포장

Bulk
패키지 / 케이스

SQ-MELF
다른 이름들

1N5551USS
작동 온도 - 정션

-
실장 형

Surface Mount
제조업체 표준 리드 타임

12 Weeks
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 400V 5A Surface Mount
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1µA @ 400V
전류 - 평균 정류 (Io)

5A
VR, F @ 용량

92pF @ 5V, 1MHz

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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: ZENER DIODE

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

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기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

제조업체: Semtech

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기술: DIODE GEN PURP 800V 5A

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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

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기술: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

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기술: ZENER DIODE

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기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

제조업체: Microsemi

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

제조업체: Semtech

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