1N5806US

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제품 모델

1N5806US
제조업체 / 브랜드

Microsemi
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

1N5806US.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

875mV @ 1A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

150V
제조업체 장치 패키지

D-5A
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

25ns
포장

Bulk
패키지 / 케이스

SQ-MELF, A
작동 온도 - 정션

-65°C ~ 175°C
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

7 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
다이오드 유형

Standard
상세 설명

Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1µA @ 150V
전류 - 평균 정류 (Io)

1A
VR, F @ 용량

25pF @ 10V, 1MHz

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1N5806C.TR

기술: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 150V 1.1A

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기술: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

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기술: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

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