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1N5806US

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유품
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규격
  • 제품 모델
    1N5806US
  • 제조업체 / 브랜드
    Semtech
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 150V 1.1A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
    1N5806US.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    875mV @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    150V
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    25ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF
  • 다른 이름들
    1N5806USS
  • 작동 온도 - 정션
    -
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    46 Weeks
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 150V 1.1A Surface Mount
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 150V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1.1A
  • VR, F @ 용량
    25pF @ 5V, 1MHz

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1N5805

1N5805

기술: DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
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1N5804

1N5804

기술: DIODE GEN PURP 100V 3.3A AXIAL

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1N5806US

기술: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

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1N5804US

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
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1N5808

1N5808

기술: DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG

제조업체: Microsemi
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1N5806C.TR

1N5806C.TR

기술: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
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1N5809US.TR

1N5809US.TR

기술: DIODE GEN PURP 100V 6A

제조업체: Semtech
유품
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1N5807

1N5807

기술: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5809US

1N5809US

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5806TR

1N5806TR

기술: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N5809US

1N5809US

기술: DIODE GEN PURP 100V 6A

제조업체: Semtech
유품
RFQ
1N5807

1N5807

기술: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

제조업체: Semtech
유품
RFQ
1N5809

1N5809

기술: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
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1N5804US

기술: DIODE GEN PURP 100V 1.1A

제조업체: Semtech
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기술: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

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1N5807US

기술: DIODE GEN PURP 50V 6A

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1N5803

기술: DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
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1N5804

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

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기술: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

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1N5809

1N5809

기술: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

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