Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > APT150GN60LDQ4G
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2552781APT150GN60LDQ4G 이미지Microsemi

APT150GN60LDQ4G

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
25+
$23.25
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT150GN60LDQ4G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 220A 536W TO-264L
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.85V @ 15V, 150A
  • 시험 조건
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    44ns/430ns
  • 에너지 전환
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-264 [L]
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    536W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-264-3, TO-264AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    970nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    450A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    220A
APT150GN120J

APT150GN120J

기술: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

기술: IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

기술: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT14F100S

APT14F100S

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT150GN60J

APT150GN60J

기술: IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT15D30KG

APT15D30KG

기술: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D120BG

APT15D120BG

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

제조업체: Microsemi Corporation
유품
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

기술: IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT150GT120JR

APT150GT120JR

기술: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT14F100B

APT14F100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT14M100B

APT14M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100KG

APT15D100KG

기술: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT14M100S

APT14M100S

기술: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT14M120B

APT14M120B

기술: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D120KG

APT15D120KG

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT15D100BG

APT15D100BG

기술: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

기술: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오