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APT30F50B

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유품
1+
$7.45
30+
$6.108
120+
$5.512
510+
$4.618
1020+
$4.022
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규격
  • 제품 모델
    APT30F50B
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    415W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT30F50BMP
    APT30F50BMP-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    500V
  • 상세 설명
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Tc)
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

기술: IGBT 600V 58A 192W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT30GN60BG

APT30GN60BG

기술: IGBT 600V 63A 203W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30F50S

APT30F50S

기술: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

기술: IGBT 600V 58A 192W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

기술: IGBT 600V 100A 463W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

기술:

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

기술: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

기술: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

기술: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

기술: IGBT 600V 100A 463W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
APT30DS60BG

APT30DS60BG

기술: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30F60J

APT30F60J

기술: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

기술: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

기술: DIODE MODULE 200V SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

기술: IGBT 600V 63A 203W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ100KG

APT30DQ100KG

기술: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

기술: IGBT 600V 67A 245W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

제조업체: Microsemi
유품
APT30GP60BG

APT30GP60BG

기술: IGBT 600V 100A 463W TO247

제조업체: Microsemi
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