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APT30GN60BG

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유품
150+
$3.732
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규격
  • 제품 모델
    APT30GN60BG
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 63A 203W TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.APT30GN60BG.pdf
    2.APT30GN60BG.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.9V @ 15V, 30A
  • 시험 조건
    400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    12ns/155ns
  • 에너지 전환
    525µJ (on), 700µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    203W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT30GN60BGMI
    APT30GN60BGMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    165nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    90A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    63A

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APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

기술: IGBT 600V 58A 192W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

기술: IGBT 600V 100A 463W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

기술: IGBT 600V 100A 463W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

기술: IGBT 600V 100A 463W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

기술: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

기술: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

기술: IGBT 600V 67A 245W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

기술: IGBT 600V 64A 250W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

기술: IGBT 600V 54A 250W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

기술: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

기술: IGBT 600V 64A 250W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

기술: DIODE MODULE 200V SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

기술: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

기술: IGBT 600V 54A 250W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30F50S

APT30F50S

기술: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

기술: IGBT 600V 63A 203W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

기술: IGBT 600V 58A 192W SOT227

제조업체: Microsemi
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RFQ
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

기술: IGBT 600V 54A 250W TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

기술: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

기술: IGBT 600V 100A 463W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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