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APT66F60L

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유품
25+
$20.14
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT66F60L
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT66F60L.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-264 [L]
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1135W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-264-3, TO-264AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    27 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    70A (Tc)

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APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

기술: IGBT 600V 121A 520W TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

기술: IGBT 900V 117A 500W TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

기술: IGBT 900V 117A 500W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

기술: IGBT 600V 198A 833W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

기술: IGBT 600V 121A 520W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

기술: IGBT 900V 117A 500W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

기술: IGBT 600V 121A 520W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

기술: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

기술: IGBT 600V 130A 431W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

기술: IGBT 600V 100A 833W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

기술: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

기술: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

기술: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

기술: IGBT 1200V 160A 961W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

기술: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

기술: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

기술: IGBT 1200V 160A 961W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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