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APT68GA60LD40

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유품
50+
$10.60
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규격
  • 제품 모델
    APT68GA60LD40
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 121A 520W TO-264
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    APT68GA60LD40.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.5V @ 15V, 40A
  • 시험 조건
    400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    21ns/133ns
  • 에너지 전환
    715µJ (on), 607µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-264 [L]
  • 연속
    POWER MOS 8™
  • 역 회복 시간 (trr)
    22ns
  • 전력 - 최대
    520W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-264-3, TO-264AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    29 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    198nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    202A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    121A

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APT70SM70B

APT70SM70B

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

기술: IGBT 1200V 160A 961W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

기술: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

기술: IGBT 600V 130A 431W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

기술: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

기술: IGBT 1200V 160A 961W TO264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

기술: IGBT 600V 121A 520W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

기술: IGBT 900V 117A 500W TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR65B

APT70GR65B

기술: IGBT 650V 134A 595W TO-247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

기술: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

기술: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

기술: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

제조업체: Microsemi
유품
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APT6M100K

APT6M100K

기술: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

기술: IGBT 600V 121A 520W TO-247

제조업체: Microsemi
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RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

기술: IGBT 600V 198A 833W TO264

제조업체: Microsemi
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RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

기술: IGBT 600V 100A 833W TMAX

제조업체: Microsemi
유품
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APT66F60B2

APT66F60B2

기술: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
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APT66M60B2

APT66M60B2

기술: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

제조업체: Microsemi
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