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JAN1N5550US

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N5550US
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5550US.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    3A
  • 전압 - 파괴
    D-5B
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    SQ-MELF, B
  • 다른 이름들
    1086-19411
    1086-19411-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    2µs
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N5550US
  • 확장 설명
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B
  • 다이오드 구성
    1µA @ 200V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.2V @ 9A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    200V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5545D-1

JAN1N5545D-1

기술: DIODE ZENER 30V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5545CUR-1

JAN1N5545CUR-1

기술: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5545DUR-1

JAN1N5545DUR-1

기술: DIODE ZENER 30V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

기술: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

기술: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
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