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JAN1N5555

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N5555
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5555.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    30.5V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    47.5V
  • 전압 - 고장 (최소)
    33V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-13 (DO-202AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-13
  • 다른 이름들
    1086-15757
    1086-15757-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    32A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N5616

JAN1N5616

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

기술: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

기술: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

기술: TVS DIODE 175V 265V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

기술: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5550

JAN1N5550

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
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