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JAN1N5616

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유품
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10+
$7.425
100+
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규격
  • 제품 모델
    JAN1N5616
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5616.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • 역 회복 시간 (trr)
    2µs
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    A, Axial
  • 다른 이름들
    1086-2104
    1086-2104-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 200°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500nA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -

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JAN1N5612

JAN1N5612

기술: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

기술: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5619

JAN1N5619

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5617US

JAN1N5617US

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5558

JAN1N5558

기술: TVS DIODE 175V 265V DO13

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5556

JAN1N5556

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5620US

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi
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JAN1N5618US

JAN1N5618US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
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JAN1N5618

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
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