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JAN1N5621US

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N5621US
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5621US.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.6V @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    800V
  • 제조업체 장치 패키지
    D-5A
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • 역 회복 시간 (trr)
    300ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF, A
  • 다른 이름들
    1086-2113
    1086-2113-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500nA @ 800V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    -

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JAN1N5618

JAN1N5618

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

기술: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

기술: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

기술: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

기술: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

기술: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5640A

JAN1N5640A

기술: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5619

JAN1N5619

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
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