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JAN1N5632A

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N5632A
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N5632A.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    7.78V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    13.4V
  • 전압 - 고장 (최소)
    8.65V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-13 (DO-202AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-13
  • 다른 이름들
    1086-15777
    1086-15777-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    112A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N5620US

JAN1N5620US

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

기술: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

기술: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

기술: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

기술: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

기술: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5646A

JAN1N5646A

기술: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

기술: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

기술: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

기술: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

기술: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

기술: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N5621

JAN1N5621

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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