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유품
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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6160US
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6160US.pdf
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    50.54V
  • 전압 - 항복
    1
  • 전압 - 고장 (최소)
    42.6V
  • 전압 - 파괴
    C, SQ-MELF
  • 유형
    Zener
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 리플 전류 - 저주파
    General Purpose
  • 전력선 보호
    1500W (1.5kW)
  • 전력 - 피크 펄스
    18.53A
  • 편광
    SQ-MELF, C
  • 다른 이름들
    1086-19721
    1086-19721-MIL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N6160US
  • 기술
    TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    80.85V
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    No

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JAN1N6161

기술: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6159US

JAN1N6159US

기술: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6160A

JAN1N6160A

기술: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

기술: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

기술: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

기술: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6159

JAN1N6159

기술: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6161A

JAN1N6161A

기술: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6161US

JAN1N6161US

기술: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6162A

JAN1N6162A

기술: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6160

JAN1N6160

기술: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6158A

JAN1N6158A

기술: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6158AUS

기술: TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6159A

기술: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

제조업체: Microsemi
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JAN1N6162

JAN1N6162

기술: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N6162US

JAN1N6162US

기술: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N6158US

JAN1N6158US

기술: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
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JAN1N6160AUS

기술: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
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기술: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
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기술: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

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