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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6163A
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    56V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    103.1V
  • 전압 - 고장 (최소)
    71.3V
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    C, Axial
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    G, Axial
  • 다른 이름들
    1086-2255
    1086-2255-MIL
    Q8945952A
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    14.5A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    1
  • 응용 프로그램
    General Purpose
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

기술: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6165US

JAN1N6165US

기술: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6161US

JAN1N6161US

기술: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6162A

JAN1N6162A

기술: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

기술: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6163

JAN1N6163

기술: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6164US

JAN1N6164US

기술: TVS DIODE 62.2V 118.44V SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6165

JAN1N6165

기술: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6162US

JAN1N6162US

기술: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6161

JAN1N6161

기술: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6164AUS

JAN1N6164AUS

기술: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6162

JAN1N6162

기술: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6163US

JAN1N6163US

기술: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6164A

JAN1N6164A

기술: TVS DIODE 62.2VWM CPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6164

JAN1N6164

기술: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6160US

JAN1N6160US

기술: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6161A

JAN1N6161A

기술: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6165A

JAN1N6165A

기술: TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N6165AUS

JAN1N6165AUS

기술: TVS DIODE 69.2V 125.1V C SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

기술: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

제조업체: Microsemi Corporation
유품

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