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JAN1N6472US

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유품
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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6472US
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 15V 26.5V GMELF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6472US.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    15V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    26.5V
  • 전압 - 고장 (최소)
    16.4V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    G-MELF (D-5C)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    1500W (1.5kW)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF, G
  • 다른 이름들
    1086-2289
    1086-2289-MIL
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    322A (8/20µs)
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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JAN1N6469US

JAN1N6469US

기술: TVS DIODE 5V 9V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

기술: TVS DIODE 6V 11V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

기술: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

기술: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

기술: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

기술: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N647-1

JAN1N647-1

기술: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

기술: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

기술: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

기술: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

기술: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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JAN1N6468US

JAN1N6468US

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6471

JAN1N6471

기술: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6468

JAN1N6468

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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