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JAN1N649-1

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N649-1
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N649-1.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    400mA
  • 전압 - 파괴
    DO-35
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N649-1
  • 확장 설명
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • 다이오드 구성
    50nA @ 600V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1V @ 400mA
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    600V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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JAN1N6621

JAN1N6621

기술: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

기술: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

기술: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

기술: TVS DIODE 14CDIP

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

기술: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

기술: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

기술: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

기술: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

기술: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

기술: TVS DIODE 14CDIP

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

기술: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

기술: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

기술: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
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