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JAN1N6509

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6509
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 14CDIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6509.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    8
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    -
  • 전압 - 고장 (최소)
    -
  • 전압 - 파괴
    14-CDIP
  • 유형
    Steering (Rail to Rail)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 리플 전류 - 저주파
    Ethernet
  • 전력선 보호
    -
  • 전력 - 피크 펄스
    -
  • 편광
    14-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N6509
  • 기술
    TVS DIODE 14CDIP
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    -
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    No

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JAN1N6474US

JAN1N6474US

기술: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

기술: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

기술: TVS DIODE 14CDIP

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

기술: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

기술: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

기술: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

기술: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

기술: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

기술: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

기술: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

기술: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

기술: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

기술: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

기술: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

기술: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

기술: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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