Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > JAN1N6623
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5841537

JAN1N6623

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    JAN1N6623
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6623.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1A
  • 전압 - 파괴
    A-PAK
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    A, Axial
  • 다른 이름들
    1086-19964
    1086-19964-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    30ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N6623
  • 확장 설명
    Diode Standard 800V 1A Through Hole A-PAK
  • 다이오드 구성
    500nA @ 800V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.55V @ 1A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    800V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 150°C

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "JAN1N6623"관련 제품입니다.
JAN1N6620

JAN1N6620

기술: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

기술: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

기술: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

기술: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

기술: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

기술: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

기술: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

기술: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

기술: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

기술: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

기술: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

기술: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

기술: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

기술: TVS DIODE 14CDIP

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

기술: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.