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JAN1N6631U

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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6631U
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.6V @ 1.4A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    1000V
  • 제조업체 장치 패키지
    D-5B
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • 역 회복 시간 (trr)
    60ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    SQ-MELF, E
  • 다른 이름들
    1086-19999
    1086-19999-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 1000V 1.4A Surface Mount D-5B
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    4µA @ 1000V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1.4A
  • VR, F @ 용량
    -

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JAN1N6640US

JAN1N6640US

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6640

JAN1N6640

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

기술: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

기술: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

기술: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

기술: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6639US

JAN1N6639US

기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

기술: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

기술: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

기술: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

기술: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6630US

JAN1N6630US

기술: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6629

JAN1N6629

기술: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6628

JAN1N6628

기술: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6628US

JAN1N6628US

기술: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6629US

JAN1N6629US

기술: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

제조업체: Microsemi
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JAN1N6630

JAN1N6630

기술: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

제조업체: Microsemi
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