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JAN1N6638

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유품
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규격
  • 제품 모델
    JAN1N6638
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    JAN1N6638.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    300mA
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • 편광
    D, Axial
  • 다른 이름들
    1086-20004
    1086-20004-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    20ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    JAN1N6638
  • 확장 설명
    Diode Standard 150V 300mA Through Hole
  • 다이오드 구성
    500nA @ 150V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.1V @ 200mA
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    150V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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JAN1N6630

JAN1N6630

기술: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6638US

JAN1N6638US

기술: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

기술: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

기술: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

기술: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6640US

JAN1N6640US

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6642

JAN1N6642

기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

기술: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

기술: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6641

JAN1N6641

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6639

JAN1N6639

기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
유품
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JAN1N6640

JAN1N6640

기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

제조업체: Microsemi
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JAN1N6631

JAN1N6631

기술: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

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JAN1N6629U

기술: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

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기술: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

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기술: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

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기술: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

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기술: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

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기술: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

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