Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 회로 보호 > tv-다이오드 > MSMBJ2K3.3
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
887768MSMBJ2K3.3 이미지Microsemi Corporation

MSMBJ2K3.3

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MSMBJ2K3.3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    1
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    4.6V
  • 전압 - 고장 (최소)
    3.3V
  • 전압 - 파괴
    SMBJ (DO-214AA)
  • 유형
    Zener
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 리플 전류 - 저주파
    General Purpose
  • 전력선 보호
    2000W (2kW)
  • 전력 - 피크 펄스
    10A (8/20µs)
  • 편광
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    1086-8081
    1086-8081-MIL
    Q8692517
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    MSMBJ2K3.3
  • 기술
    TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    5.8V
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 양방향 채널
    No
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

기술: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

기술: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

기술: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ30A

MSMBJ30A

기술: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

기술: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ28AE3/TR

MSMBJ28AE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ28A

MSMBJ28A

기술: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

기술: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

기술: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ26CAE3

MSMBJ26CAE3

기술: TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

기술: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ28CA/TR

MSMBJ28CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

기술: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

기술: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

기술: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

기술: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ28A/TR

MSMBJ28A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
MSMBJ28CA

MSMBJ28CA

기술: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
MSMBJ28AE3

MSMBJ28AE3

기술: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오