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MSMBJ30AE3

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유품
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MSMBJ30AE3
  • 제조업체 / 브랜드
    Microsemi
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    MSMBJ30AE3.pdf
  • 전압 - 역 스탠드 오프 (일반)
    30V
  • 전압 - 클램핑 (최대) @ Ipp
    48.4V
  • 전압 - 고장 (최소)
    33.3V
  • 단방향 채널
    1
  • 유형
    Zener
  • 제조업체 장치 패키지
    SMBJ (DO-214AA)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500
  • 전력선 보호
    No
  • 전력 - 피크 펄스
    600W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AA, SMB
  • 다른 이름들
    1086-8090
    1086-8090-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    13 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 전류 - 피크 펄스 (10 / 1000μs)
    12.4A
  • 정전 용량 @ 주파수
    -
  • 응용 프로그램
    General Purpose

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MSMBJ33CAE3

MSMBJ33CAE3

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ30AE3/TR

MSMBJ30AE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

기술: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MSMBJ33A

MSMBJ33A

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ33AE3/TR

MSMBJ33AE3/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ33CA

MSMBJ33CA

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ30A

MSMBJ30A

기술: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

기술: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MSMBJ33AE3

MSMBJ33AE3

기술: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ33A/TR

MSMBJ33A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ33CA/TR

MSMBJ33CA/TR

기술: TVS

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

기술: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MSMBJ30CA

MSMBJ30CA

기술: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
MSMBJ2K4.5

MSMBJ2K4.5

기술: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

기술: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

기술: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
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MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3

기술: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

제조업체: Microsemi
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MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

기술: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

제조업체: Microsemi Corporation
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MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

기술: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

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